Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов»

С 21 по 23 октября 2019 года в Москве впервые состоится Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов». Мероприятие организуют участники Консорциума в области хранения и анализа больших данных – ФИЦ «Информатика и управление» РАН и Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет). В организации также принимают участие Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания» и Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».

Председателем программного комитета конференции выступает академик РАН Юрий Евтушенко (ФИЦ ИУ РАН), председателем оргкомитета – доктор технических наук Александр Зацаринный (ФИЦ ИУ РАН).

В рамках конференции будут работать следующие секции:

Современные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, включая применение новых методов и средств анализа больших данных;
Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур;
Математическое моделирование в структурном материаловедении (многоуровневые, многомасштабные модели, имитационные модели и т. д.);
Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике;
Моделирование работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения;
Моделирование структур и свойств композиционных материалов с нанокристаллами, нанокластерами, наноаморфными включениями и т. д.
Со списком участников и научной программой Вы можете ознакомиться на странице конференции.

Планируется выпуск материалов конференции с их размещением в РИНЦ. Лучшие работы будут опубликованы в специальном выпуске журнала «Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники» за 2019 год (ВАК). Отдельные работы будут также размещены в журналах Russian Microelectronics и Physica status solidi (b) (WoS, Scopus).

Для участия в конференции необходимо направить тезисы с заполненной заявкой на участие по адресу matmodel2013@gmail.com до 21 июня 2019 года.

Тексты статей для публикаций в журналах необходимо направить на рецензирование до 15 июля 2019 года.

Для посещения конференции в качестве слушателя необходимо зарегистрироваться, отправив заполненную заявку по адресу matmodel2013@gmail.com до 1 октября 2019 года.

Адрес проведения: г. Москва, ул. Вавилова, д. 40, +7 (495) 938-28-67.